半導體實驗
Semiconductor Laboratory
學期
106-1
學分
2
學分
當期課號
5021
永久課號
IEE5571
開課單位
電子研究所
授課教師
林鴻志
類別
選修
上課時間表
| 節 | 週三 |
|---|---|
5 13:20–14:10 | 半導體實驗 LAB 2 節連堂 |
6 14:20–15:10 | |
A 18:30–19:20 | 半導體實驗 LAB 3 節連堂 |
B 19:30–20:20 | |
C 20:30–21:20 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
概述
講述一般半導體生產與研究上常應用之半導體製程的技術原理,並以實際製程操作訓練,讓學生可以得到相關的知識。實作課在電子系半導體訓練教室進行,學生分組由助教帶領製作電容器與二極體。製作後之元件進行電性量測分析,讓學生瞭解製程條件對元件特性之影響,獲得實際之經驗與觀念。
先修科目
大一普物 半導體元件物理
教學方式
助教 :第一堂課宣佈。 圖書資料:Semiconductor International、Solid State Technology、等半導體科技雜誌等資料
評分方式
作業部份:實作筆記、實驗報告 考試部份:期中考、期末考 評量部份: 期中考 25% 期末考 25% 實驗報告 25% 學習表現 25%
課程大綱
- 1. History of Nano Facility Center (NFC) and Semiconductor Lab. 2. Clean room environment 3. Safety issues 4. Clean process 5. Oxidation process 6. Lithography process 7. Etch process 8. Doping process 9. Deposition process 10. MOS capacitor and P-N junction measurements 11. MOS capacitor(實作) 12. PN Junction(實作) 13. 電性量測(實作)
週次計畫
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | (講授)History of Nano Facility Center (NFC) and Semiconductor Lab. |
| 第 2 週 | (實作)學生與助教分組; (講授)Cleanroom environment |
| 第 3 週 | (講授)Safety issues |
| 第 4 週 | (講授)Clean process; (實作) 半導體實驗教室介紹 |
| 第 5 週 | Oxidation process; 實作課 |
| 第 6 週 | 期中考; 實作課 |
| 第 7 週 | Etch process; 實作課 |
| 第 8 週 | Lithography process, 實作課 |
| 第 9 週 | Doping process; 實作課 |
| 第 10 週 | Deposition process; 實作課 |
| 第 11 週 | MOS capacitor and P-N junction measurement(I); |
| 第 12 週 | MOS capacitor and P-N junction measurement(II); 實作課 |
| 第 13 週 | 期末考; 實作課 |
| 第 14 週 | 實作課 |
| 第 15 週 | 實作課 |
| 第 16 週 | 實作課 |
| 第 17 週 | 電性量測 |
| 第 18 週 | 實驗報告繳交 |
教科書
上課講義 Hong Xiao, “Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology”, 2000, Prentice Hall. J. D. Plummer, M. D. Deal, and P. B. Griffin, “Silicon VLSI Technology-Fundamentals, Practice and Modeling”, 2000, Prentice Hall. S. M. Sze, “Semiconductor Devices Physics and Technology”, 2nd Ed., 2002, J. Wiley & Sons Inc.
Office Hours
- 地點
- ED 646
- 時間
- 2CD 3CD
- 聯絡方式
- Email 或電話