電子薄膜物理與製程技術
Electrical Thin Film Physics and Process Technology
學期
106-2
學分
3
學分
當期課號
5106
永久課號
IEO5385
開課單位
光電工程學系
授課教師
劉柏村
校區
光復
類別
選修
上課時間表
| 節 | 週二 |
|---|---|
5 13:20–14:10 | 電子薄膜物理與製程技術 CY201 3 節連堂 |
6 14:20–15:10 | |
7 15:30–16:20 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
概述
電子薄膜製程是電晶體元件製作的關鍵技術。希望藉由本課程的講授,使學生能對顯示技術中各種電子薄膜沈積的製程原理、設備、薄膜物理與電性特性,乃至薄膜電晶體TFT製程有一全面與深入的瞭解。透過此課程的學習將有助於學生奠定日後從事光電顯示科技產業之良好基礎。
先修科目
基礎理化相關課程或知識
教學方式
A. 使用單槍投影機進行課程講授 2.上課專心、勤做筆記、課後複習 3.繳交作業、文獻心得報告及期中、期末測驗,作為課程評分標準。
評分方式
1學期作業: 3~5 次 2.考試狀況: 期中與期末考 3.評量方法: 作業,考試與上課表現
課程大綱
- 薄膜技術
- 薄膜電晶體元件製程
週次計畫
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | 導論 |
| 第 2 週 | 熱氣化製程(1) |
| 第 3 週 | 熱氣化製程(2) |
| 第 4 週 | 蒸鍍 (evaporation deposition) 製程與設備原理 |
| 第 5 週 | 濺鍍 (sputtering deposition) 製程與設備原理(1) |
| 第 6 週 | |
| 第 7 週 | 化學氣相沈積 (chemical vapor deposition, CVD)製程與設備原理(1) |
| 第 8 週 | 化學氣相沈積 (chemical vapor deposition, CVD)製程與設備原理(2) |
| 第 9 週 | 期中考 |
| 第 10 週 | 電子薄膜物理性質 a. 半導體 (semiconductor) 薄膜材料 b. 介電絕緣 (dielectric insulator) 薄膜材料 c. 金屬 (conductive metal) 薄膜材料 |
| 第 11 週 | 薄膜摻雜 (doping) 製程技術 (1) |
| 第 12 週 | 薄膜摻雜 (doping) 製程技術 (2) |
| 第 13 週 | 微影製程(1) |
| 第 14 週 | 微影製程(2)/蝕刻製程(1) |
| 第 15 週 | 蝕刻製程(2) |
| 第 16 週 | 薄膜電晶體(TFT)顯示元件製程(1) |
| 第 17 週 | 薄膜電晶體(TFT)顯示元件製程(2) |
| 第 18 週 | 學期考試週 |
教科書
Handout Reference Books: 轩 Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice and Modeling, Author: J. D. Plummer, Michael D. Deal, Peter B. Griffin,