快閃記憶體元件與技術
Flash Memory Devices and Technology
| 節 | 週三 |
|---|---|
3 10:10–11:00 | 快閃記憶體元件與技術 ED101 3 節連堂 |
4 11:10–12:00 | |
N 12:20–13:10 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
(該課程每二年開一次) 快閃記憶體是目前除了邏輯CMOS元件之外, 最有產業應用價值的半導體元件,如數位相機SD卡, 手機通信, 多媒體應用等可攜式裝置, USB隨身碟乃至未來物聯網(IoT), AI的應用等. 快閃記憶體是不可或缺的組件. 本課程講授快閃記憶體的元件, 技術及其可靠性, 大部分取材自最新的論文(輔之以新版的參考書), 以引導同學認識該領域的基本知識, 為實用課程, 對於將來就業及研究都有實質的幫助. 課程內容包含Physics and operation of flash memory, floating gate memory, NOR and NAND structure, p-channel cell, SONOS, nanocrystal memory, memory array and architecture, embedded memory, scaling issues, flash memory reliabilities等。最後則介紹新興的flash memory技術, 如phase change memory, resistance RRAM, CB RAM, 3D memory等。
相關半導體課程, 如固態電子, 半導體物理, 或半導體元件 (已修過或正在修上述課程者皆可)
以論文研讀書面報告, 口頭報告併用為主(100%)
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | Flash memories: An overview |
| 第 2 週 | Physical mechanisms and the Operation of flash memories |
| 第 3 週 | NOR flash stacked gate and split gate technology |
| 第 4 週 | NAND flash memory technology |
| 第 5 週 | DINOR flash memory technology |
| 第 6 週 | P-channel flash memory technology |
| 第 7 週 | Scaling Issues and tunnel dielectrics of flash memories |
| 第 8 週 | Advanced flash memory architectures and related issues |
| 第 9 週 | Embedded flash memory |
| 第 10 週 | SONOS and nanocrystal memory cells(1) |
| 第 11 週 | SONOS and nanocrystal memory cells(2) |
| 第 12 週 | Flash memory reliabilities and characterization techniques |
| 第 13 週 | Resistance Memories |
| 第 14 週 | Phase change memories |
| 第 15 週 | 3D memories and the recent advances |
以講義為主: (以下為參考資料) (1) Nonvolatile memory technologies with emphasis on flash, Joe Brewer and M. Gill, IEEE Press, 2008 (reference book) (2) IEEE Journal/Conference papers, short course materials etc.
- 地點
- ED501
- 時間
- 每週二下午15:00-17:00
- 聯絡方式
- (03)5731830 (手機)0922872027 email: schung@cc.nctu.edu.tw