積體電路技術(二)
Integrated Circuit Technology (II)
| 節 | 週一 | 週三 |
|---|---|---|
2 09:00–09:50 | 積體電路技術(二) ED220 | |
3 10:10–11:00 | 積體電路技術(二) ED220 2 節連堂 | |
4 11:10–12:00 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
目標在於讓修課同學對下面課程重點有所瞭解與認知: (1) 半導體製程(PVD, ECD, Doping, RTP 等)與設備技術基本原理說明。 (2) CMOS 製程整合,積體電路製造之流程。 (3) 不同半導體製程間關聯性說明。 (4) 製程技術未來發展驅勢分析。 (5) 各種應用之製程要求與重點。 電子研究所希望培育學生具備十項核心能力及三項基本素養(請參官網http://www.ee.nctu.edu.tw首頁之【學術研究】→【IEET】內容。 ※本課程將培育學生具備下述幾項核心能力: 1.1 固態電子或電路系統相關專業知識之能力 1.2 固態電子或電路系統之設計、實驗及分析數據之能力,並具有發掘、分析、獨立解決問題及創新思考的能力 1.3 使用電腦輔助軟體、儀器等工具的能力 1.4 具跨領域整合之能力 3.1 瞭解國內外電子資訊產業脈動 3.2 中英文科技論文之閱讀寫作與簡報能力 ※本課程將培育學生具備下述幾項基本素養: 1 養成學生具備電子工程基礎與專業知識,並配合實作,達到理論與實務相結合之目的。使學生具備推論、分析、創新及整合能力。 2 教育學生具備寬廣之知識、溝通技巧與團隊精神,以迎接不同生涯發展之挑戰。教育學生瞭解專業倫理及社會責任。 3 建立國際化學習環境,使學生洞察國內外社會與產業之脈動,以培養學生成為立足於全球之電子菁英與領袖人才。
IC Tech. (I)
投影片教學
期中考一次(35%)。 期末考一次(35%)。 作業(小考)報告(20%)。 出席表現(10%)。
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | Physical Vapor Deposition |
| 第 2 週 | Physical Vapor Deposition |
| 第 3 週 | Electrochemical Deposition Rapid Thermal Processing |
| 第 4 週 | Doping |
| 第 5 週 | Doping |
| 第 6 週 | Doping CMP |
| 第 7 週 | CMP |
| 第 8 週 | CMP |
| 第 9 週 | Isolation Midterm exam |
| 第 10 週 | Isolation |
| 第 11 週 | Metal Slicidation |
| 第 12 週 | Submicron CMOS FEOL Process |
| 第 13 週 | Submicron CMOS FEOL Process Sub-100 nm CMOS FEOL Process |
| 第 14 週 | Sub-100 nm CMOS FEOL Process |
| 第 15 週 | Al Interconnect |
| 第 16 週 | Cu Interconnect |
| 第 17 週 | BEOL Integration and Reliability |
| 第 18 週 | BEOL Integration and Reliability Final Exam |
1. 上課講義。 2. “Silicon VLSI Technology,” J. Plummer, M. D. Deal, and P.B. Griffin, Prentice Hall Inc. (2000). 3. “Semiconductor Manufacturing Technology,” M. Quirk and J. Serda, Prentice Hall Inc. (2001). 4. “Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology,” Xiao Hong, Prentice Hall Inc., New Jersey, USA (2001).
- 地點
- 工四館 646 或 奈米中心 214
- 時間
- 第一次上課時宣佈
- 聯絡方式
- E-mail 或電話(54193)