低功率CMOS元件技術

Content Ch-1 Introduction 1.1 Evolution of Si Technology 1.2 ITRS – Technology Scaling Roadmap 1.3 Circuit Advancement and Future 1.4 Product Perspectives – performance, cost, and power Ch-2 Power Dissipation and Scaling Impact 2.1 Dynamic Power and Static Power 2.2 Active and Leakage Power 2.3 Leakage Mechanism for Deep Sub-micron CMOS Devices 2.4 Short Circuit Power Theory and Modeling Ch-3 Low Supply Voltage and Low VTH Design 3.1 CMOS VDD, VTH, and TOX Scaling Scenario 3.2 Dynamic VTH CMOS Technique (DTMOS) 3.3 Active Well Bias Technique for Bulk Silicon 3.4 Dual VDD and Dual VTH Techniques Ch-4 Multiple VTH CMOS Technique (MTCMOS) 4.1 MTCMOS Technologies 4.2 Circuit Approach and Real Success 4.3 Device Design and Process Integration Ch-5 Multiple and Variable VDD , VTH Schemes 5.1 Multiple VDD and Variable Supply Voltages 5.1.1 VDD Hopping and VTH Hopping Techniques 5.1.2 Adaptive Supply Voltage Technique 5.1.3 Synchronous Variable Voltage System 5.2 Variable VTH Scheme Ch-6 Applications in Memory, Analog, and RF Device Technologies 6.1 Low Power Memory Technolgies 6.2 Low Power Analog and Mixed-Signal Technologies 6.3 Low Power RF CMOS Technologies Ch-7 Future Work 電子研究所希望培育學生具備十項核心能力及三項基本素養(請參官網http://www.ee.nctu.edu.tw首頁之【學術研究】→【IEET】內容。 ※本課程將培育學生具備下述幾項核心能力: 1.1 固態電子或電路系統相關專業知識之能力 1.2 固態電子或電路系統之設計、實驗及分析數據之能力,並具有發掘、分析、獨立解決問題及創新思考的能力 1.3 使用電腦輔助軟體、儀器等工具的能力 1.4 具跨領域整合之能力 2.2 具規劃、領導與實行團隊合作之能力 2.3 終身自我學習成長之能力 3.1 瞭解國內外電子資訊產業脈動 3.2 中英文科技論文之閱讀寫作與簡報能力 3.3 瞭解多元文化、時事議題與工程技術對環境、社會及全球之影響 ※本課程將培育學生具備下述幾項基本素養: 1 養成學生具備電子工程基礎與專業知識,並配合實作,達到理論與實務相結合之目的。使學生具備推論、分析、創新及整合能力。 2 教育學生具備寬廣之知識、溝通技巧與團隊精神,以迎接不同生涯發展之挑戰。教育學生瞭解專業倫理及社會責任。 3 建立國際化學習環境,使學生洞察國內外社會與產業之脈動,以培養學生成為立足於全球之電子菁英與領袖人才。

Semiconductor device physics Si integrated circuit technology

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作業部份: Final term report 考試部份: Mid-term exam. Final term exam. 評量部份: Mid-term exam. 40% Final-term exam./report 40% Homework and class participation 20%

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