半導體物理及元件(一)

The course teaches fundamental principles on using band diagrams and carrier transport to analyze bipolar diodes, Schottky diodes, photodiodes, BJT, MOS capacitor, MOSFET and Flash memories. Emphasis is put on the MOSFET designs for aggressively scaled VLSI technology. The economical, environmental and social impacts of the semiconductor technology will be illustrated from the past industrial data and the future prediction. The goal for this course is to train circuit, device and process engineers for semiconductor technology research and development. 電子研究所希望培育學生具備十項核心能力及三項基本素養(請參官網http://www.ee.nctu.edu.tw首頁之【學術研究】→【IEET】內容。 ※本課程將培育學生具備下述幾項核心能力: 1.1 固態電子或電路系統相關專業知識之能力 1.2 固態電子或電路系統之設計、實驗及分析數據之能力,並具有發掘、分析、獨立解決問題及創新思考的能力 1.3 使用電腦輔助軟體、儀器等工具的能力 1.4 具跨領域整合之能力 2.3 終身自我學習成長之能力 3.1 瞭解國內外電子資訊產業脈動 3.2 中英文科技論文之閱讀寫作與簡報能力 3.3 瞭解多元文化、時事議題與工程技術對環境、社會及全球之影響 ※本課程將培育學生具備下述幾項基本素養: 1 養成學生具備電子工程基礎與專業知識,並配合實作,達到理論與實務相結合之目的。使學生具備推論、分析、創新及整合能力。 2 教育學生具備寬廣之知識、溝通技巧與團隊精神,以迎接不同生涯發展之挑戰。教育學生瞭解專業倫理及社會責任。 3 建立國際化學習環境,使學生洞察國內外社會與產業之脈動,以培養學生成為立足於全球之電子菁英與領袖人才。

Modern Physics (DEE2311 or equivalent) Microelectronics (I) (DEE2320 or equivalent)

3 exams 90% class participation 10%

• Review on semiconductor properties and construction of the band diagrams
• Review on Boltzmann transport and perturbation from equilibrium
• P-N junction theory
• Schottky, heterojunction and photo diodes
• MOSC theory
• MOSFET models and parameter extraction
• Advanced MOSFET structural variation and design principles
• Nonvolatile memory based on MOSFET structures
• BJT design and operations

1. Y. Taur and T. H. Ning, Fundamentals of Modern VLSI Devices, Cambridge (2009) 2. R. F. Pierret, Advanced Semiconductor Fundamentals, vol. 6, 2nd Ed., Prentice Hall (2003) 3. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 3rd Ed., Wiley (2007)

地點

ED409

時間

Thursday AM 10:00-12:00 or by appointment

聯絡方式

thhou@mail.nctu.edu.tw