半導體材料分析
Materials Characterization for Semiconductors
學期
109-2
學分
3
學分
當期課號
5326
永久課號
ISE5206
開課單位
工學院碩士在職專班-半導體組
授課教師
立、張、潘扶民
校區
光復
類別
選修
上課時間表
| 節 | 週三 |
|---|---|
A 18:30–19:20 | 半導體材料分析 EF207 3 節連堂 |
B 19:30–20:20 | |
C 20:30–21:20 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
概述
了解各種半導體材料分析技術之原理及其應用,包括電子顯微鏡、聚焦離子束法、微區化學組成分析、掃描探針顯微鏡、歐傑電子能譜分析、X光電子能譜分析、二次離子質譜分析等。
先修科目
普通物理或普通化學 材料科學導論 電子材料或半導體製程
教學方式
講義放置於e-campus
評分方式
作業部份:20 考試部份:80 期中考與期末考各乙次 評量部份: 期中考與期末考各佔50%
課程大綱
- 電子顯微鏡
- X光繞射
- 聚焦離子束FIB
- 微區化學成分分析
- 歐傑電子能譜分析AES
- X光電子能譜分析XPS(ESCA)
- 二次離子質譜分析SIMS
- 掃描探針顯微鏡SPM
週次計畫
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | 課程簡介、電子顯微鏡基礎 |
| 第 2 週 | 電子與材料之物理相互作用 |
| 第 3 週 | SEM儀器構造、影像形成 |
| 第 4 週 | TEM儀器構造與試片 |
| 第 5 週 | TEM繞射與影像對比 |
| 第 6 週 | TEM影像對比 |
| 第 7 週 | 微區化學組成分析 EDS & EELS |
| 第 8 週 | Focused Ion Beam X光繞射 |
| 第 9 週 | Focused Ion Beam X光繞射 |
| 第 10 週 | 期中考 |
| 第 11 週 | 表面科學基礎 |
| 第 12 週 | Auger電子能譜分析(AES)及X光電子能譜分析(XPS) |
| 第 13 週 | Auger電子能譜分析(AES)及X光電子能譜分析(XPS) |
| 第 14 週 | Auger電子能譜分析(AES)及X光電子能譜分析(XPS) |
| 第 15 週 | SIMS分析 |
| 第 16 週 | SIMS分析 |
| 第 17 週 | 掃描探針顯微鏡 |
| 第 18 週 | 期末考 |