碳化矽製程技術
SiC Process Technology
學期
110-1
學分
2
學分
當期課號
5046
永久課號
IEE5754
開課單位
電子研究所
授課教師
崔秉鉞
校區
光復
類別
選修
上課時間表
| 節 | 週二 |
|---|---|
7 15:30–16:20 | 碳化矽製程技術 ED201 2 節連堂 |
8 16:30–17:20 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
概述
本課程講述碳化矽晶體成長技術、磊晶技術、清洗製程、氧化製程、摻雜製程、金屬接觸製程、微影製程、蝕刻製程、薄膜沈積製程等,並包含潔淨室環境、實驗室安全等知識。內容強調碳化矽製程與常用矽製程之差異,讓學生了解製作碳化矽高功率半導體元件及積體電路的製程技術。
先修科目
建議已修畢或同時選修半導體元件物理或類似課程一學期,有助於吸收課程內容
教學方式
每週兩小時,講授製程原理。 A. 依據教育部及本校防疫小組規定,本課程將先採取線上授課,何時恢復實體授課?視疫情改善狀況再行公告。 軟體:Google Meet 連結:https://meet.google.com/wnx-quqr-qxy B. 開始上課後再要求加入會干擾講課,請務必提早3分鐘加入線上會議室。 C. 課程講義最遲會在上課前一天上傳到ftp站,請自行下載。 IP: 140.113.225.77 ID: student Password: student Port: 54112 Dir://課程資料(student)/SiC Process D. 需要紙本簽名者,請在每次下課後20分鐘內到我辦公室。
評分方式
期中考: 40%,期末考:40%,報告: 20%。
週次計畫
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | Introduction to SiC |
| 第 2 週 | SiC Crystal Growth Technology & Epitaxy Technology |
| 第 3 週 | SiC Oxidation Process |
| 第 4 週 | SiC Oxidation Process |
| 第 5 週 | SiC Oxidation Process |
| 第 6 週 | Thin Film Deposition Process |
| 第 7 週 | Lithography Process |
| 第 8 週 | Mid-term examination |
| 第 9 週 | SiC Doping Process |
| 第 10 週 | SiC Doping Process |
| 第 11 週 | SiC Doping Process |
| 第 12 週 | SiC Etching Process |
| 第 13 週 | CMOS Process Flow |
| 第 13 週 | SiC Etching Process |
| 第 15 週 | CMOS Process Flow |
| 第 16 週 | Power Devices Process Flow |
| 第 17 週 | Final Examination |
教科書
使用自編講義。
Office Hours
- 地點
- 另行約定。
- 時間
- 另行約定。
- 聯絡方式
- e-mail: bytsui@nycu.edu.tw Tel: 03-5131570