碳化矽製程實驗
SiC Process Laboratory
學期
110-1
學分
1
學分
當期課號
5971
永久課號
IEE5755
開課單位
電子研究所
授課教師
崔秉鉞
類別
選修
上課時間表
| 節 | 週二 |
|---|---|
9 17:30–18:20 | 碳化矽製程實驗 LAB |
* 根據陽明交大上課時間表所列
概述
本課程進行晶片清洗、氧化、微影、蝕刻、擴散、薄膜沉積、MOS電容製作、蕭特基接面製作,包含潔淨室環境、實驗室安全等知識,以及基本元件的電性分析。藉由實際操作,使學生了解在潔淨室中工作注意事項、培養正確的安全衛生防護觀念、以及具備碳化矽製程機台的操作能力。
先修科目
建議已修畢或同時選修半導體元件物理或類似課程一學期,有助於吸收課程內容。
教學方式
a、 學生必須同時選修碳化矽製程技術,了解製程原理。 b、 平均每週一小時實作教學,由助教示範後,督導學生親自製作MOS電容及蕭特基接面,並進行電性測量。 c、 本實驗課限額15人,修課資格由開課老師自選修「碳化矽製程技術」的學生中決定。
評分方式
儀器設備操作: 60%,實驗報告: 40%。
週次計畫
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | Introduction to Nano Facility Center and Semiconductor Lab |
| 第 2 週 | Clean room environment and safety precautions |
| 第 3 週 | 1st Written examination: Safety precautions |
| 第 4 週 | FOX deposition |
| 第 5 週 | FOX deposition |
| 第 6 週 | 1st Lithography process & Active area etching |
| 第 7 週 | 1st Lithography process & Active area etching |
| 第 8 週 | MOS gate oxidation |
| 第 9 週 | MOS gate oxidation |
| 第 10 週 | MOS gate electrode & SBD metal deposition |
| 第 11 週 | MOS gate electrode & SBD metal deposition |
| 第 12 週 | 2nd Lithography process & metal pad etching |
| 第 13 週 | 2nd Lithography process & metal pad etching |
| 第 14 週 | Backside metal deposition |
| 第 15 週 | Electrical measurement |
| 第 16 週 | Electrical measurement |
| 第 17 週 | Final report |
教科書
使用自編講義。
Office Hours
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