金氧半製程技術
MOS Processing Technology
學期
110-2
學分
3
學分
當期課號
2884
永久課號
SET1529
開課單位
系統工程與科技學士學位學程
授課教師
謝育立
類別
選修
上課時間表
| 節 | 週二 |
|---|---|
A 18:30–19:20 | 金氧半製程技術 3 節連堂 |
B 19:30–20:20 | |
C 20:30–21:20 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
概述
使同學了解金氧半結構半導體元件及其製造技術,以作為後續修習大型積體電路領域課程之基礎
先修科目
半導體元件物理、半導體製程
評分方式
期中考: 40% 口頭及期末報告: 40% 上課狀況與態度: 20%
週次計畫
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | 積體電路介紹 |
| 第 2 週 | 半導體元件(金氧半電晶體) |
| 第 3 週 | 半導體元件(金氧半電晶體) |
| 第 4 週 | CMOS製程技術 |
| 第 5 週 | CMOS製程技術 |
| 第 6 週 | 晶體成長、晶圓製造與矽晶圓基本性質 |
| 第 7 週 | 半導體製造-無塵室、晶圓清洗、吸附 |
| 第 8 週 | 微影 |
| 第 9 週 | 期中考 |
| 第 10 週 | 熱氧化與Si/SiO2界面 |
| 第 11 週 | 清明連假 |
| 第 12 週 | 摻質擴散 |
| 第 13 週 | 離子佈植 |
| 第 14 週 | 薄膜沉積 |
| 第 15 週 | 蝕刻 |
| 第 16 週 | 後段技術 |
| 第 17 週 | Oral presentation and final report |
| 第 18 週 | Oral presentation and final report |
教科書
James D. Plummer, Michael D. Deal, Peter B. Griffin, Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice and Modeling, Prentice Hall