校際選修

115-1 選課時程

進行中

  • 初選第一階段 6/15/2026
  • 初選第二階段 6/22/2026
  • 校際選修 8/24/2026
  • 初選第三階段 8/31/2026
  • 開學後加退選 9/7/2026
  • 逾期加退選 9/21/2026
選課資源

自旋電子元件及磁性記憶體

Spintronics Devices and Magnetic Memory

學期
110-2
學分
3 學分
當期課號
5227
永久課號
CST5077
開課單位
國際半導體產業學院碩士班
授課教師
鄧端理
校區
光復
類別
選修
上課時間表
週三
2
09:00–09:50
自旋電子元件及磁性記憶體
EE113
3 節連堂
3
10:10–11:00
4
11:10–12:00

* 根據陽明交大上課時間表所列

概述

本課程講述內容包括:電磁效應、磁性薄膜、微磁學、電子自旋、磁阻、磁性記憶元件、磁性感應器...等基本知識,將特別著重在各種電子自旋邏輯電路與記憶體元件的工作原理和特性。

先修科目

電機工程研究所的同學,或是物理、材料、或電機系的大學三年級以上的同學。

評分方式

lecture attendance(10%), homework(30%), team project report(60%)

週次計畫
週次主題
第 1 週Basic Electronmagnetism
第 2 週Magnetism and magnetic material, film stack,1 (CF Pai)
第 3 週Magnetism and magnetic material, film stack,2 (CF Pai)
第 4 週Magnetism and magnetic material, film stack,3 (CF Pai)
第 5 週Magnetic nano-structures, anisotropy
第 6 週Magneto-resistance effects: Anisotropic, Giant, Tunneling amgneo-resistance
第 7 週Process and Tools for studying Spintronics Devices (恆川孝二)
第 8 週Test Apparatus working principles (Visit ITRI)
第 9 週Field-write mode MRAMs
第 10 週Spin current and spin dynamics
第 11 週Spin-torque-transfer mode (STT) MRAM
第 12 週STT MRAM engineering
第 13 週Advanced switching modes
第 14 週MRAM memory market position
第 15 週Other applications of MTJ: Sensor(gyro) and Hard Disk Drive
第 16 週On the horizon: Multferroic, antiferromagnetism; team design project topic assignments
第 17 週Team leader report
第 18 週Team leader report
教科書

1. Magnetic Memory, Denny Tang and Yuan Jen Lee, Cambridge University Press, 2010 2. Magnetic Memory Technology, Denny Tang, C.F.Pai, Wiley 2021 3. Magnetism and magnetic materials, J.M.D. Coey, Cambridge Univeristy Press, 2010