半導體實驗
Semiconductor Laboratory
| 節 | 週三 |
|---|---|
5 13:20–14:10 | 半導體實驗 ED116 2 節連堂 |
6 14:20–15:10 | |
A 18:30–19:20 | 半導體實驗 ED116 3 節連堂 |
B 19:30–20:20 | |
C 20:30–21:20 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
本課程分教室課與實驗課兩部份。教室課講述半導體技術發展、潔淨室環境、實驗室安全、單元製程基本原理、MOS電容與PN接面測量原理等。實驗部份,包括晶片清洗、氧化、微影、蝕刻、擴散、薄膜沉積、MOS電容與PN接面等。課程內容強調製程實務與學生實際進入無塵室操作訓練。實作課在位於交大奈米中心的電子系半導體訓練教室進行,學生分組由助教帶領製作MOS電容器與二極體以及後續之元件電性量測分析。期能使學生瞭解潔淨室中工作注意事項、培養正確的安全衛生防護觀念、領悟製程條件對元件特性之影響,獲得實際之經驗與觀念。 電子研究所希望培育學生具備十項核心能力及三項基本素養(請參官網http://www.ee.nctu.edu.tw首頁之【學術研究】→【IEET】內容。 ※本課程將培育學生具備下述幾項核心能力: 1.1 固態電子或電路系統相關專業知識之能力 1.2 固態電子或電路系統之設計、實驗及分析數據之能力,並具有發掘、分析、獨立解決問題及創新思考的能力 1.3 使用電腦輔助軟體、儀器等工具的能力 ※本課程將培育學生具備下述幾項基本素養: 1 養成學生具備電子工程基礎與專業知識,並配合實作,達到理論與實務相結合之目的。使學生具備推論、分析、創新及整合能力。
本課程必須先修或正在修「元件物理」課程,不符合資格者無法修習本課程。 有普通物理,有半導體物理基礎者佳。
1. 每周教室課2堂,並由助教帶領進入奈米中心製作元件四週,元件量測二週。 2. 教室課:講授安全防護觀念、單元製程原理、及實驗注意事項。 3. 實作課:博/碩士班助教帶領,親自動手製作MOS電容及PN接面等基本元件,並進行電性測量。
期中考30%、 實作課表現30%、 期末報告40%
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | Introduction (history of Nano Facility Center and Semiconductor Lab Clean Room Environment) |
| 第 2 週 | Safety Issues (Absence is not allowed. The absentee will be forced to drop this course) |
| 第 3 週 | Clean Process and Experiments Oxidation Process and Experiments |
| 第 4 週 | Oxidation Process and Experiments |
| 第 5 週 | Deposition Process and Experiments |
| 第 6 週 | Lithography Process and Experiments |
| 第 7 週 | Etching Process and Experiments |
| 第 8 週 | Doping Process and Experiments |
| 第 9 週 | Electrical Characterization of MOS Capacitors and PN Diodes |
| 第 10 週 | Midterm |
| 第 11 週 | MOS Capacitor Experiments and Process Characterization |
| 第 12 週 | MOS Capacitor Experiments and Process Characterization |
| 第 13 週 | PN Junction Experiments and Process Characterization |
| 第 14 週 | PN Junction Experiments and Process Characterization |
| 第 15 週 | MOS Capacitors Electrical Measurement |
| 第 16 週 | PN DIodes Electrical Measurement |
| 第 17 週 | How to prepare Final Report |
| 第 18 週 | Submit Final Report |
Reference Books: 1. J. D. Plummer, M. D. Deal, and P. B. Griffin, “Silicon VLSI Technology-Fundamentals, Practice and Modeling”, 2000, Prentice Hall. 3. S. M. Sze, “Semiconductor Devices Physics and Technology”, 2nd Ed., 2002, J. Wiley & Sons Inc. 3. 自編講義。
- 地點
- ED617
- 時間
- 另行約定
- 聯絡方式
- 分機:54210 Email:pwli@nctu.edu.tw