先進固態記憶體技術
Advanced Solid-State Memory Technology
| 節 | 週五 |
|---|---|
5 13:20–14:10 | 先進固態記憶體技術 A204 3 節連堂 |
6 14:20–15:10 | |
7 15:30–16:20 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
人類文明延續與發展,仰賴生活經驗的傳承以及所累積的知識在妥適保存後並能廣為傳播。自從60年代半導體技術萌芽之後,半導體晶片隨著半導體製程技術的日新月異,無論在運算能力或是記憶密度都呈現大幅度的成長,人類文明的躍昇在半導體技術的推波助瀾之下更是邁入前所未有境地 。現有記憶體技術中的兩大主流為動態隨機存取記憶體(DRAM)與非揮發性快閃記憶體(Flash),於2021年全球產值分別高達900億與700億美元。其中高密度DRAM在巨量數據(Big Data)與人工智慧的年代有廣泛的應用。非揮發性快閃記憶體則因大眾化的價格,改變了人類對於資料擷取的互動行為,成為可攜帶式資料載具的代名詞。 本課程希望建立學生對固態記憶體之基礎知識,並邀請擁有多年實務技術開發經驗的業界師資講授,連結基礎理論與實際應用,幫助學生未來能進一步將所學與相關研究與產業結合。業界師資群來自全球第三大的記憶體公司美光科技,與國內擁有最先進三維快閃記憶體技術的旺宏電子,由業界觀點分別講授DRAM與Flash記憶體技術。課程將系統性地介紹記憶體的晶包結構,操作原理,也將觸及製程技術與材料選擇,可靠度、測試與封裝技術等考量,並介紹業界最新的技術發展現況與趨勢。 目標: 1. 認識固態記憶體種類與數據資料儲存之關聯性 2. 瞭解揮發性與非揮發性固態記憶體元件結構/操作原理/製作技術與材料/可靠度/測試封裝 3. 瞭解下世代揮發性與非揮發性記憶體的發展趨勢 4. 引導學生對於半導體科學認識與其應用 5. 培養學生解決問題的能力 6. 培養學生收集資料的能力
半導體元件基礎知識
期中考試(Midterm Examination):40% 期末考試(Final Examination):40% 隨堂測驗(Quiz):20%
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | Course Overview; DRAM Design and Cell Structure (美光業師群) |
| 第 2 週 | Process Technology of DRAM (美光業師群) |
| 第 3 週 | Process Technology of DRAM (美光業師群) |
| 第 4 週 | Smart Manufacturing & Yield Improvement (美光業師群) |
| 第 5 週 | Quality Control in DRAM Manufacturing (美光業師群) |
| 第 6 週 | Package & Test for DRAM (美光業師群) |
| 第 7 週 | Field Application of DRAM (美光業師群) |
| 第 8 週 | Group Discussion (美光業師群) Midterm Examination |
| 第 9 週 | Introduction and current status of non-volatile memory (旺宏業師群) |
| 第 10 週 | NOR/NAND Devices (旺宏業師群) |
| 第 11 週 | NOR/NAND Process Integration (旺宏業師群) |
| 第 12 週 | NOR/NAND Modules-- Litho/Etch/F.A (旺宏業師群) |
| 第 13 週 | NOR/NAND Modules-- Thin Film/Diff/Yield (旺宏業師群) |
| 第 14 週 | Future perspectives of non-volatile memory (旺宏業師群) |
| 第 15 週 | Course Wrap-up |
| 第 16 週 | Final Examination |
教師自編講義