高功率元件電性測量技術與實驗
Electrical Characterization Technology and Laboratory of Power Devices
學期
112-2
學分
3
學分
當期課號
535219
永久課號
EEIE30082
開課單位
電子研究所
授課教師
吳添立、崔秉鉞
校區
光復
類別
選修
上課時間表
| 節 | 週二 | 週五 |
|---|---|---|
2 09:00–09:50 | 高功率元件電性測量技術與實驗 ED101 | |
7 15:30–16:20 | 高功率元件電性測量技術與實驗 ED101 2 節連堂 | |
8 16:30–17:20 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
概述
本課程分教室課與實作課兩部份。教室課講述高功率元件重要電性參數測量方法與原理,包括載子濃度、載子遷移率、片電阻、接觸電阻、二極體基本特性、電晶體基本特性、高電流/電壓測量、崩潰電壓、MOS電容、介電層/半導體介面缺陷、半導體晶體缺陷、功率元件切換特性等等。藉由實際操作,使學生更能體會元件物理課程講授的內容,並培養熟悉高功率測試系統架構與安全操作能力的研究人員。
先修科目
已修畢或同時選修課程內容為半導體元件物理的課程至少一學期。
教學方式
a、 每週二小時教室課,講授測量原理。 b、 平均每週三小時實作課,由助教示範後,學生親自進行電性測量。 c、 限額15人,優先順序為:第一順位是電研所和國半院(含錄取新生),第二順位是電機院和產創院(含錄取新生),第三順位是校內其它單位,第四順位是校外選修。
評分方式
a、 筆試: 40% b、 儀器設備操作: 40% c、 實驗報告: 20%
週次計畫
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | Introduction |
| 第 2 週 | Electrical Measurement and GPIB Operation |
| 第 3 週 | Sheet Resistance, Carrier Concentration, and Contact Resistance |
| 第 4 週 | Diode Characterization (PiN and SBD) |
| 第 5 週 | MOSFET Characterization and External Resistance Extraction |
| 第 6 週 | High Current and High Voltage Measurement |
| 第 7 週 | Independent Practice |
| 第 8 週 | 1st Written Examination and Practical Test |
| 第 9 週 | MOS Capacitor Characterization |
| 第 10 週 | Interface State Extraction - C-V and Conductance Methods |
| 第 11 週 | Interface State Extraction - Charge Pumping Technique |
| 第 12 週 | Dynamic Characterization |
| 第 13 週 | Dynamic Characterization |
| 第 14 週 | DLTS Characterization |
| 第 15 週 | DLTS Characterization |
| 第 16 週 | Independent Practice |
| 第 17 週 | 2nd Written Examination and Practical Test |
教科書
使用自編講義。 參考資料: Semiconductor Material and Device Characterization, by Dieter K. Schroderor 3rd ed. Operation Manuals and Application Notes of Instruments
Office Hours
- 地點
- 另行約定。
- 時間
- 另行約定。
- 聯絡方式
- 崔秉鉞教授:bytsui@nycu.edu.tw 吳添立教授:tlwu@nycu.edu.tw