積體電路技術(一)
Integrated Circuit Technology (I)
學期
114-1
學分
3
學分
當期課號
535213
永久課號
EEIE30043
開課單位
電子研究所
授課教師
林鴻志
校區
光復
類別
選修
上課時間表
| 節 | 週二 | 週四 |
|---|---|---|
2 09:00–09:50 | 積體電路技術(一) ED220 | |
5 13:20–14:10 | 積體電路技術(一) ED220 2 節連堂 | |
6 14:20–15:10 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
概述
目標在於讓修課同學對下面課程重點有所瞭解與認知: (1) 積體電路製造之流程。 (2) 各種半導體製程與設備技術基本原理說明。 (3) 不同半導體製程間關聯性說明。 (4) 製程技術未來發展驅勢分析。 (5) 各種應用之製程要求與重點。
先修科目
普物, 基礎化學
教學方式
投影片教學
評分方式
期中考一次(35%)。 期末考一次(35%)。 作業(小考)報告(20%)。 出席表現(10%)。
週次計畫
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | Introduction Wafer preparation |
| 第 1 週 | Introduction Wafer preparation |
| 第 2 週 | Cleaning Oxidation |
| 第 2 週 | Cleaning Oxidation |
| 第 3 週 | Oxidation |
| 第 3 週 | Oxidation |
| 第 4 週 | Oxidation |
| 第 4 週 | Oxidation |
| 第 5 週 | Lithography |
| 第 5 週 | Lithography |
| 第 6 週 | Lithography |
| 第 6 週 | Lithography |
| 第 7 週 | Lithography |
| 第 7 週 | Lithography |
| 第 8 週 | Lithography Midterm exam |
| 第 8 週 | Lithography Midterm exam |
| 第 9 週 | Plasma Fundamentals |
| 第 9 週 | Plasma Fundamentals |
| 第 10 週 | Plasma Fundamentals |
| 第 10 週 | Plasma Fundamentals |
| 第 11 週 | Plasma Fundamentals Etch |
| 第 11 週 | Plasma Fundamentals Etch |
| 第 12 週 | Etch |
| 第 12 週 | Etch |
| 第 13 週 | Etch |
| 第 13 週 | Etch |
| 第 14 週 | CVD |
| 第 14 週 | CVD |
| 第 15 週 | CVD |
| 第 15 週 | CVD |
| 第 16 週 | CVD Final Exam |
| 第 16 週 | CVD Final Exam |
| 第 17 週 | |
| 第 18 週 |
教科書
1. 上課講義。 2. “Silicon VLSI Technology,” J. Plummer, M. D. Deal, and P.B. Griffin, Prentice Hall Inc. (2000). 3. “Semiconductor Manufacturing Technology,” M. Quirk and J. Serda, Prentice Hall Inc. (2001). 4. “Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology,” Xiao Hong, Prentice Hall Inc., New Jersey, USA (2001).
Office Hours
- 地點
- ED 646
- 時間
- 第一次上課時宣佈
- 聯絡方式
- hclin@nycu.edu.tw 電話: 54193