電漿與薄膜製程技術
Plasma and Thin Film Technology
學期
114-1
學分
3
學分
當期課號
556305
永久課號
ENSE30012
開課單位
工學院碩士在職專班-半導體組
授課教師
立、張、陳軍華
校區
光復
類別
選修
上課時間表
| 節 | 週四 |
|---|---|
A 18:30–19:20 | 電漿與薄膜製程技術 EF207 3 節連堂 |
B 19:30–20:20 | |
C 20:30–21:20 |
* 根據陽明交大上課時間表所列
概述
了解薄膜製程之基本原理,包括 1. 電漿產生及特性 2. 薄膜製備之方法及原理: 2.1. 物理氣相沉積 (PVD) (蒸鍍、濺射、分子束磊晶) 2.2. 化學氣相沉積 (CVD) (thermal CVD、電漿輔助PECVD、金屬有機MOCVD、原子層沉積ALD) 3. 薄膜之成核與成長 4. 薄膜之微觀結構
先修科目
普通物理、普通化學、材料科學導論
教學方式
講義以powerpoint製作,置放於e3網站。
評分方式
期中考與期末考 各佔40% 作業或報告20% 學期成績以等級方式考評
週次計畫
| 週次 | 主題 |
|---|---|
| 第 1 週 | 課程介紹氣體動力學 |
| 第 2 週 | 真空與壓力 |
| 第 3 週 | 物理氣相沉積蒸鍍原理 沉積均勻性 熱蒸鍍 |
| 第 4 週 | 電子束蒸鍍 電漿定義與特徵 |
| 第 5 週 | 電漿特徵 |
| 第 6 週 | 濺鍍 濺射物理與現象 |
| 第 7 週 | 直流與射頻濺鍍磁控濺鍍 |
| 第 8 週 | 期中考 |
| 第 9 週 | 化學氣相沉積(CVD) |
| 第 10 週 | 化學氣相沉積(CVD) thermal CVD |
| 第 11 週 | CVD PECVD MOCVD ALD |
| 第 12 週 | 基板表面結構與特徵薄膜成核 |
| 第 13 週 | 薄膜成長模式 |
| 第 14 週 | 磊晶 |
| 第 15 週 | 多晶薄膜 |
| 第 16 週 | 期末考 |
教科書
Materials Science of Thin Films, 2nd edition, 2002 Ohring
Office Hours
- 地點
- 工6館327室
- 聯絡方式
- e-mail或電話